环栅III-V量子阱晶体管及锗无结晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610352706.3

申请日：

2016-05-24

公开(公告)号：

CN107424994B

公开(公告)日：

2017-12-01

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234 H01L2916 H01L2920 H01L29423

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-17	授权	授权
2017-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20160524
2017-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

无结晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104009078A ,2014-08-27

[2]

无结晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104299905B ,2015-01-21

[3]

无结晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104517847A ,2015-04-15

[4]

硅锗异质结晶体管及其制造方法 [P].

陈帆 ;

张海芳 ;

周正良 ;

徐炯 .

中国专利 :CN102097466B ,2011-06-15

[5]

无结晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104425607B ,2015-03-18

[6]

异质结晶体管及其制造方法 [P].

郭俊植 ;

韩釉大 ;

李宽铉 ;

竹谷元伸 ;

郑暎都 .

中国专利 :CN104037081A ,2014-09-10

[7]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102117831A ,2011-07-06

[8]

双极结晶体管及其制造方法 [P].

朴康旭 .

中国专利 :CN1627530A ,2005-06-15

[9]

晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104752200A ,2015-07-01

[10]

锗硅异质结晶体管及其制备方法 [P].

刘丙永 .

中国专利 :CN115394837B ,2025-12-09

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