适用于非易失性存储器的隧道晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00131777.6

申请日：

2000-10-20

公开(公告)号：

CN1305230A

公开(公告)日：

2001-07-25

发明(设计)人：

嶋田恭博林慎一郎内山洁田中圭介

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2976

IPC分类号：

H01L2988

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张志醒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2001-07-25	公开	公开
2004-12-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-12-26	著录事项变更	著录事项变更变更事项:申请人变更前:松下电子工业株式会社变更后:松下电器产业株式会社
2002-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

非易失性存储器晶体管和包括该存储器晶体管的设备 [P].

李明宰 ;

赵成豪 ;

金镐正 ;

朴永洙 ;

D.徐 ;

柳寅敬 .

中国专利 :CN104347520A ,2015-02-11

[2]

包括传输晶体管的非易失性存储器装置 [P].

李泽徽 ;

李载德 ;

李豪峻 ;

张盛弼 .

中国专利 :CN115643760A ,2023-01-24

[3]

电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管 [P].

黎俊霄 ;

许家荣 ;

赖宗沐 .

中国专利 :CN118676217A ,2024-09-20

[4]

五晶体管非易失性存储器单元 [P].

帕维尔·波普勒瓦因 ;

埃尔纳·何 ;

乌梅尔·卡恩 ;

恒扬·詹姆斯·林 .

中国专利 :CN102741936B ,2012-10-17

[5]

串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备 [P].

李仟颜 ;

宋基焕 ;

秋教秀 ;

成锡江 .

韩国专利 :CN117545276A ,2024-02-09

[6]

逻辑晶体管和非易失性存储器的制造方法 [P].

M·D·施罗夫 ;

M·D·霍尔 ;

F·K·小巴克尔 .

中国专利 :CN103794565A ,2014-05-14

[7]

具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法 [P].

R·A·劳 ;

R·穆拉利德哈 .

中国专利 :CN101569006B ,2009-10-28

[8]

晶体管非易失性存储器单元及其相关存储器阵列 [P].

张毅敏 ;

谢佳达 ;

陆湘台 .

中国专利 :CN101150133A ,2008-03-26

[9]

使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路 [P].

杉山英行 ;

棚本哲史 ;

丸龟孝生 ;

石川瑞惠 ;

井口智明 ;

齐藤好昭 .

中国专利 :CN102148055A ,2011-08-10

[10]

全NMOS四晶体管非易失性存储器单元 [P].

帕维尔·波普勒瓦因 ;

乌梅尔·卡恩 ;

恒扬·詹姆斯·林 ;

安德鲁·J·富兰克林 .

中国专利 :CN102741825A ,2012-10-17

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