用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980144749.0

申请日：

2009-10-12

公开(公告)号：

CN102210031A

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

安德烈亚斯·比贝尔斯多夫文森特·格罗利尔卢茨·赫佩尔汉斯-于尔根·卢高尔马丁·斯特拉斯伯格

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332 H01L3316

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李德山;周涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-05	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效申请日:20091012 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140142798 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801447490
2015-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[2]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

伊瓦尔·通林 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110603653A ,2019-12-20

[3]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

平井麻子 .

中国专利 :CN113544862A ,2021-10-22

[4]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

洛伦佐·齐尼 ;

简-菲利普·阿尔 ;

亚历山大·弗里 .

中国专利 :CN104508840A ,2015-04-08

[5]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

中国专利 :CN114521295A ,2022-05-20

[6]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

费利克斯·费克斯 ;

伊内斯·皮聪卡 ;

彼得鲁斯·松德格伦 .

德国专利 :CN114521295B ,2025-04-25

[7]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

赖纳·哈特曼 ;

马丁·曼德尔 ;

西梅昂·卡茨 ;

安德烈亚斯·吕克尔 .

中国专利 :CN108028286B ,2018-05-11

[8]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

于尔根·莫斯布格尔 ;

克里斯托夫·诺伊罗伊特 ;

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN103069568B ,2013-04-24

[9]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

伊莎贝尔·奥托 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110494994A ,2019-11-22

[10]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

卡尔·恩格尔 ;

马库斯·毛特 ;

斯特法尼·格拉梅尔斯贝格尔 ;

安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 .

中国专利 :CN103384923B ,2013-11-06

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