光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680053039.7

申请日：

2016-09-26

公开(公告)号：

CN108028286B

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

赖纳·哈特曼马丁·曼德尔西梅昂·卡茨安德烈亚斯·吕克尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3100

IPC分类号：

H01L3300 H01L3338 H01L3344

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/00 申请日:20160926
2020-02-18	授权	授权
2018-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[2]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

伊瓦尔·通林 ;

克里斯蒂安·莱雷尔 .

中国专利 :CN110603653A ,2019-12-20

[3]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

卡伊·格尔克 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

理查德·弗勒特尔 ;

克里斯蒂安·施密特 .

中国专利 :CN103843162A ,2014-06-04

[4]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN106796936A ,2017-05-31

[5]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

马丁·鲁道夫·贝林格 ;

马库斯·布勒尔 ;

克里斯托夫·克伦普 .

中国专利 :CN103907210B ,2014-07-02

[6]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

卡伊·格尔克 ;

科比尼安·佩尔茨尔迈尔 ;

理查德·弗勒特尔 ;

克里斯蒂安·施密特 .

中国专利 :CN106935692B ,2017-07-07

[7]

光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

阿尔瓦罗·戈麦斯-伊格莱西亚斯 ;

平井麻子 .

中国专利 :CN113544862A ,2021-10-22

[8]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

约阿希姆·赫特功 ;

洛伦佐·齐尼 ;

简-菲利普·阿尔 ;

亚历山大·弗里 .

中国专利 :CN104508840A ,2015-04-08

[9]

光电子半导体芯片以及用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

尼古劳斯·格迈因维泽 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;

安德烈亚斯·莱贝尔 .

中国专利 :CN102227825A ,2011-10-26

[10]

用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片 [P].

安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 ;

文森特·格罗利尔 ;

卢茨·赫佩尔 ;

汉斯-于尔根·卢高尔 ;

马丁·斯特拉斯伯格 .

中国专利 :CN102210031A ,2011-10-05

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