一种氮化硅膜材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410354051.4

申请日：

2014-07-23

公开(公告)号：

CN104120403A

公开(公告)日：

2014-10-29

发明(设计)人：

宋志伟褚卫国

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北一条11号

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C16513

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

巩克栋;杨晞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101589565824 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2014103540514 申请日:20140723
2014-10-29	公开	公开
2016-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法 [P].

宋志伟 ;

褚卫国 .

中国专利 :CN104099579A ,2014-10-15

[2]

一种氧化硅膜材料及其制备方法 [P].

宋志伟 ;

褚卫国 .

中国专利 :CN104099581A ,2014-10-15

[3]

一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法 [P].

宋志伟 ;

褚卫国 .

中国专利 :CN104120404A ,2014-10-29

[4]

一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 [P].

宋志伟 ;

褚卫国 .

中国专利 :CN104532207A ,2015-04-22

[5]

氮化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108389780A ,2018-08-10

[6]

一种氮化硅层的制备方法 [P].

张高升 ;

曾庆锴 ;

詹昶 ;

王林 ;

万先进 .

中国专利 :CN107564800A ,2018-01-09

[7]

氮化硅材料及其制备方法 [P].

曾小锋 ;

李勇全 .

中国专利 :CN105503198A ,2016-04-20

[8]

多层氮化硅膜 [P].

李世远 ;

金武性 ;

李彰原 ;

雷新建 .

美国专利 :CN118475717A ,2024-08-09

[9]

氮化硅薄膜的制备方法 [P].

林嘉佑 .

中国专利 :CN103334087A ,2013-10-02

[10]

氮化硅涂层钢领及其制备方法 [P].

杜平凡 ;

王勇 ;

姚奎鸿 ;

席珍强 ;

汪新颜 ;

徐敏 .

中国专利 :CN101122056A ,2008-02-13

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