发光二极管陶瓷基座

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN200430053641.0

申请日：

2004-06-17

公开(公告)号：

CN3412090D

公开(公告)日：

2004-12-15

发明(设计)人：

苏骅洪详竣杨岳勋王希维

申请人：

申请人地址：

台湾省台北市

IPC主分类号：

1499

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

臧建明;王玉双

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-09	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:炬鑫科技股份有限公司变更后权利人:英特明光能股份有限公司变更事项:地址变更前:台湾省台北市变更后:台湾省台北市登记生效日:20071205
2012-08-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101310709748 主分类号:14-99 专利号:ZL2004300536410 申请日:20040617 授权公告日:20041215 终止日期:20110617
2004-12-15	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管基座 [P].

吴俊德 ;

黄家增 ;

张琇茹 .

中国专利 :CN302192806S ,2012-11-21

[2]

发光二极管基座 [P].

周万顺 .

中国专利 :CN2335265Y ,1999-08-25

[3]

发光二极管基座 [P].

林士杰 ;

陈立敏 ;

谢同荣 .

中国专利 :CN300953198D ,2009-07-01

[4]

发光二极管基座 [P].

汪秉龙 ;

萧松益 ;

陈政吉 .

中国专利 :CN301485730S ,2011-03-16

[5]

发光二极管基座(二) [P].

张正兴 ;

李敏丽 ;

陈国湖 .

中国专利 :CN301357866S ,2010-09-29

[6]

发光二极管基座(一) [P].

张正兴 ;

李敏丽 ;

陈国湖 .

中国专利 :CN301357865S ,2010-09-29

[7]

贴片发光二极管基座 [P].

方和平 .

中国专利 :CN202145464U ,2012-02-15

[8]

发光二极管(陶瓷大功率发光二极管) [P].

仁恒 ;

李君飞 ;

杨光勇 ;

钟健 ;

陈足红 ;

吴琳 ;

李富国 .

中国专利 :CN301412146S ,2010-12-15

[9]

发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串 [P].

郭崑生 ;

朱源发 .

中国专利 :CN101308836B ,2008-11-19

[10]

发光二极管封装、发光二极管模块及发光二极管灯 [P].

林明德 ;

林明耀 ;

殷尚彬 ;

刘芷瑄 ;

戴光佑 .

中国专利 :CN102254903B ,2011-11-23

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