发光二极管基座

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201230156380.X

申请日：

2012-05-08

公开(公告)号：

CN302192806S

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

吴俊德黄家增张琇茹

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县杨梅市高山里高狮路566号

IPC主分类号：

2604

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

闻卿

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-21	授权	授权
2016-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101667754418 主分类号:26-04 专利号:ZL201230156380X 申请日:20120508 授权公告日:20121121 终止日期:20150508

共 50 条

[1]

发光二极管基座 [P].

汪秉龙 ;

萧松益 ;

陈政吉 .

中国专利 :CN301485730S ,2011-03-16

[2]

发光二极管基座 [P].

周万顺 .

中国专利 :CN2335265Y ,1999-08-25

[3]

发光二极管基座 [P].

林士杰 ;

陈立敏 ;

谢同荣 .

中国专利 :CN300953198D ,2009-07-01

[4]

发光二极管基座(二) [P].

张正兴 ;

李敏丽 ;

陈国湖 .

中国专利 :CN301357866S ,2010-09-29

[5]

发光二极管基座(一) [P].

张正兴 ;

李敏丽 ;

陈国湖 .

中国专利 :CN301357865S ,2010-09-29

[6]

发光二极管陶瓷基座 [P].

苏骅 ;

洪详竣 ;

杨岳勋 ;

王希维 .

中国专利 :CN3412090D ,2004-12-15

[7]

贴片发光二极管基座 [P].

方和平 .

中国专利 :CN202145464U ,2012-02-15

[8]

发光二极管 [P].

程原旭彦 ;

佐藤毅 .

中国专利 :CN304608404S ,2018-05-01

[9]

发光二极管 [P].

冈祐太 ;

笹野玄明 .

中国专利 :CN302363658S ,2013-03-20

[10]

发光二极管 [P].

王心盈 ;

钟健凯 ;

柯淙凯 .

中国专利 :CN302135656S ,2012-10-17

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