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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810010759.6
申请日：
2018-01-05
公开(公告)号：
CN110010447A
公开(公告)日：
2019-07-12
发明(设计)人：
张城龙
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21027
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-07-12 | 公开 | 公开 |
| 2021-02-02 | 授权 | 授权 |
| 2019-08-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20180105 |