半导体器件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910511292.8
申请日
2019-06-13
公开(公告)号
CN112086346A
公开(公告)日
2020-12-15
发明(设计)人
张海洋 纪世良 张冬平
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
H01L218234 H01L27088 H01L2910
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
徐文欣;吴敏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 ;
张冬平 .
中国专利 :CN112053946A ,2020-12-08
[2]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
窦涛 ;
汤霞梅 ;
胡友存 .
中国专利 :CN111640657A ,2020-09-08
[3]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
王士京 ;
姚达林 ;
张海洋 .
中国专利 :CN109148272B ,2019-01-04
[4]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
熊鹏 ;
陆建刚 .
中国专利 :CN111668093A ,2020-09-15
[5]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张田田 ;
谭晶晶 .
中国专利 :CN112420595A ,2021-02-26
[6]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张城龙 .
中国专利 :CN110010447A ,2019-07-12
[7]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
马闯 .
中国专利 :CN114300457A ,2022-04-08
[8]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
张海洋 ;
纪世良 ;
刘盼盼 .
中国专利 :CN113496948B ,2024-04-02
[9]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
施维 ;
胡友存 .
中国专利 :CN111640658A ,2020-09-08
[10]
半导体器件及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110797262A ,2020-02-14