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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010190883.2
申请日：
2020-03-18
公开(公告)号：
CN113496948B
公开(公告)日：
2024-04-02
发明(设计)人：
张海洋
纪世良
刘盼盼
申请人：
中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
518118 广东省深圳市坪山新区出口加工区高芯路18号
IPC主分类号：
H01L21/8234
IPC分类号：
H01L27/088
代理机构：
上海德禾翰通律师事务所 31319
代理人：
侯莉
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-02 | 授权 | 授权 |