一种平整半导体晶片表面的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03150267.9

申请日：

2003-07-23

公开(公告)号：

CN1490848A

公开(公告)日：

2004-04-21

发明(设计)人：

白载学

申请人：

申请人地址：

马来西亚沙捞越

IPC主分类号：

H01L21302

IPC分类号：

H01L21306 G03F700

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司

代理人：

王琦;宋志强

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2004-04-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片表面的清洗方法 [P].

高昀成 ;

刘轩 .

中国专利 :CN101459047B ,2009-06-17

[2]

半导体晶片暴露表面的修整方法 [P].

W·J·布鲁克斯福尔特 ;

S·R·卡勒 ;

K·L·霍 ;

D·A·卡萨基 ;

C·R·凯塞尔 ;

T·P·克隆 ;

H·K·克兰兹 ;

R·P·梅斯纳 ;

R·J·韦布 ;

J·P·威廉斯 .

中国专利 :CN1197543A ,1998-10-28

[3]

对半导体晶片表面进行平整的方法 [P].

D·A·卡萨基 ;

H·K·克兰兹 ;

T·E·伍德 ;

L·C·哈迪 .

中国专利 :CN1165975C ,2000-05-24

[4]

一种半导体晶片表面钝化工艺 [P].

耿玓 ;

王桂磊 ;

赵超 ;

李伟伟 ;

卢年端 ;

李泠 .

中国专利 :CN118315286A ,2024-07-09

[5]

半导体晶片的表面加工方法 [P].

丸野尚纪 ;

青木一史 ;

巴赫曼·苏丹尼 ;

古川隆太 .

日本专利 :CN118525356A ,2024-08-20

[6]

一种半导体晶片表面的测试装置 [P].

陈能强 .

中国专利 :CN113909145B ,2022-01-11

[7]

基于半导体晶片表面的测试装置 [P].

肖凌 ;

陈秉克 ;

吴会旺 ;

赵丽霞 .

中国专利 :CN110286310A ,2019-09-27

[8]

采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法 [P].

容倍金 ;

寅权丁 ;

政烨金 .

中国专利 :CN1729063A ,2006-02-01

[9]

用于与另一晶片接合的半导体晶片表面的制备 [P].

C·莫南图索特 ;

C·马勒维尔 ;

H·莫里索 ;

A·苏比 .

中国专利 :CN1954422A ,2007-04-25

[10]

半导体晶片的表面处理方法 [P].

刘程秀 .

中国专利 :CN107170677A ,2017-09-15

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