采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200380107179.0

申请日：

2003-10-29

公开(公告)号：

CN1729063A

公开(公告)日：

2006-02-01

发明(设计)人：

容倍金寅权丁政烨金

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

B08B302

IPC分类号：

B08B312 B08B600 H01L21304

代理机构：

北京三幸商标专利事务所

代理人：

刘激扬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038404679 IPC(主分类):B08B 3/02 专利申请号:2003801071790 公开日:20060201
2006-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片表面的清洗方法 [P].

高昀成 ;

刘轩 .

中国专利 :CN101459047B ,2009-06-17

[2]

清洗半导体晶片的方法和装置 [P].

M·G·维林 ;

L·张 .

中国专利 :CN1341276A ,2002-03-20

[3]

半导体晶片的清洗方法 [P].

陈中泰 .

中国专利 :CN1338771A ,2002-03-06

[4]

半导体晶片的清洗方法 [P].

颜进甫 ;

陈崇智 ;

陈东强 .

中国专利 :CN100362629C ,2006-11-15

[5]

半导体晶片的清洗方法 [P].

陈中泰 .

中国专利 :CN1198323C ,2003-01-29

[6]

半导体晶片的清洗装置以及半导体晶片的清洗方法 [P].

野田魁人 ;

大久保知洋 ;

中尾勇贵 ;

富田迪彦 .

中国专利 :CN114902379A ,2022-08-12

[7]

半导体晶片的清洗方法和半导体晶片的制造方法 [P].

久保田真美 ;

高桥亮辅 ;

S·牧濑 .

日本专利 :CN117795649A ,2024-03-29

[8]

半导体晶片清洗方法 [P].

陈灵 .

中国专利 :CN104124136A ,2014-10-29

[9]

半导体晶片清洗装置 [P].

韩石彬 .

中国专利 :CN1156901A ,1997-08-13

[10]

半导体晶片清洗装置 [P].

马祖光 ;

郭光辉 .

中国专利 :CN208923038U ,2019-05-31

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