半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810049867.4

申请日：

2018-01-18

公开(公告)号：

CN110060919B

公开(公告)日：

2019-07-26

发明(设计)人：

严强生詹扬张启阳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2128 H01L21311 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180118
2019-07-26	公开	公开
2021-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

张田田 ;

谭晶晶 .

中国专利 :CN112420595A ,2021-02-26

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110797262A ,2020-02-14

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

何其暘 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106558608B ,2017-04-05

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN110875237A ,2020-03-10

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

窦涛 ;

汤霞梅 ;

胡友存 .

中国专利 :CN111640657A ,2020-09-08

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN110581101B ,2019-12-17

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘焕新 ;

张北超 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109994368B ,2019-07-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

吴轶超 .

中国专利 :CN118280917A ,2024-07-02

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

张城龙 .

中国专利 :CN110060931B ,2019-07-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108807377A ,2018-11-13

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