具有忆阻存储器的设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080065394.9

申请日：

2010-03-12

公开(公告)号：

CN102782849B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

M.D.皮克特 J.杨 G.M.里韦罗

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247 G11C1600

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马红梅;卢江

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375922816 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2010800653949 申请日:20100312
2012-11-14	公开	公开
2016-05-18	授权	授权
2017-01-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745701552 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2010800653949 登记生效日:20170105 变更事项:专利权人变更前权利人:惠普发展公司,有限责任合伙企业变更后权利人:慧与发展有限责任合伙企业变更事项:地址变更前权利人:美国德克萨斯州变更后权利人:美国德克萨斯州

共 50 条

[1]

忆阻存储器 [P].

陈广龙 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN103178207A ,2013-06-26

[2]

多模态忆阻器存储器 [P].

D.B.富士 ;

Y.杰安 ;

S.塔瓦拉伊 .

中国专利 :CN106463171A ,2017-02-22

[3]

忆阻器和阻变式存储器 [P].

姚国峰 ;

沈健 .

中国专利 :CN208690303U ,2019-04-02

[4]

侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P].

唐建石 ;

胡若飞 ;

高滨 ;

钱鹤 ;

吴华强 .

中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24

[5]

忆阻存储器及其制造方法 [P].

陈广龙 ;

许毅胜 ;

熊涛 .

中国专利 :CN103633241B ,2014-03-12

[6]

忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器 [P].

姚国峰 ;

沈健 .

中国专利 :CN111279499A ,2020-06-12

[7]

一种忆阻器的制备方法、忆阻器及存储器件 [P].

杨紫薇 ;

李文杰 ;

谢芳梅 ;

李诚 ;

刘奥星 ;

童佩斐 ;

李国啸 ;

陈志勇 ;

陆子恒 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN112289931A ,2021-01-29

[8]

基于忆阻器的存储器内计算架构 [P].

薛晓勇 ;

刘文军 ;

周鹏 .

中国专利 :CN109542391A ,2019-03-29

[9]

忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM [P].

姚国峰 ;

沈健 .

中国专利 :CN110546778A ,2019-12-06

[10]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

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