一种调控掺杂浓度的SiC生长方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711024669.4

申请日：

2017-10-27

公开(公告)号：

CN109722711A

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

三重野文健

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室

IPC主分类号：

C30B2300

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/00 申请日:20171027
2021-11-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 23/00 申请公布日:20190507
2019-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC单晶生长装置及液相外延SiC单晶生长方法 [P].

胡章贵 ;

王佳楠 .

中国专利 :CN113322510A ,2021-08-31

[2]

4H-SiC的P型重掺杂化学势调控的生长方法 [P].

康闻宇 ;

姚隽祺 ;

康俊勇 ;

陈浩南 .

中国专利 :CN119243328A ,2025-01-03

[3]

一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法 [P].

李扬 ;

郑向光 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 .

中国专利 :CN117737858B ,2024-09-06

[4]

一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法 [P].

李扬 ;

郑向光 ;

杨昆 ;

刘新辉 ;

路亚娟 ;

牛晓龙 .

中国专利 :CN117737858A ,2024-03-22

[5]

单晶生长方法及生长装置 [P].

冈本勉 ;

田附幸一 ;

久保田重夫 .

中国专利 :CN1227287A ,1999-09-01

[6]

一种低成本、高产率SiC单晶的生长方法 [P].

谢雪健 ;

徐现刚 ;

彭燕 ;

陈秀芳 ;

杨祥龙 ;

胡小波 .

中国专利 :CN113584571A ,2021-11-02

[7]

一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN109518271A ,2019-03-26

[8]

一种基于PVT法生长sic的方法 [P].

孙月静 .

中国专利 :CN109056069A ,2018-12-21

[9]

坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN108070909A ,2018-05-25

[10]

一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法 [P].

谢雪健 ;

陈秀芳 ;

杨祥龙 ;

胡小波 ;

徐现刚 ;

张用 .

中国专利 :CN110857476B ,2020-03-03

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