液相CdS纳米棒尺寸控制生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811229709.3
申请日
2018-10-22
公开(公告)号
CN111072056A
公开(公告)日
2020-04-28
发明(设计)人
韩克利 赵凤娇 杨阳
申请人
申请人地址
116023 辽宁省大连市沙河口区中山路457-41号
IPC主分类号
C01G1102
IPC分类号
B82Y4000
代理机构
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002
代理人
马驰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种ZnO纳米棒阵列尺寸可控生长方法 [P]. 
杨丽丽 ;
杨景海 ;
高铭 ;
刘晓艳 ;
王睿 .
中国专利 :CN101994149A ,2011-03-30
[2]
一种ZnO纳米棒的生长方法 [P]. 
郑佳红 ;
牛世峰 ;
房华丽 .
中国专利 :CN105036176A ,2015-11-11
[3]
CdS纳米棒薄膜的制备方法 [P]. 
黄敏艳 .
中国专利 :CN109133155A ,2019-01-04
[4]
微波还原法液相制备CdS纳米材料的方法 [P]. 
佘厚德 ;
李良善 ;
苏云云 ;
王瑞 ;
孙毅东 ;
白文才 ;
周华 .
中国专利 :CN107055589A ,2017-08-18
[5]
金纳米棒的长波紫外光辐照生长方法 [P]. 
王达健 ;
张培新 ;
袁志好 ;
彭金辉 ;
李岚 ;
毛智勇 ;
顾铁成 ;
姜亚昌 ;
陆启飞 ;
于文惠 ;
印寿根 ;
张红梅 .
中国专利 :CN101199999B ,2008-06-18
[6]
一种金属纳米棒的可控生长方法 [P]. 
牛晓滨 ;
军凯 ;
李含冬 ;
汪博筠 ;
张生辉 ;
李志强 ;
王艳梅 .
中国专利 :CN109868457B ,2019-06-11
[7]
一种CdS纳米棒的制备方法 [P]. 
黄敏艳 .
中国专利 :CN109133156A ,2019-01-04
[8]
磁性元素掺杂CdS纳米棒的制备方法 [P]. 
李志国 ;
蔡伟 ;
李晓丽 .
中国专利 :CN101994156A ,2011-03-30
[9]
SiO2纳米棒/CdS的制备方法 [P]. 
李霞章 ;
胡宗林 ;
孟英芹 ;
陆晓旺 ;
赵晓兵 ;
姚超 ;
陈志刚 .
中国专利 :CN103241766A ,2013-08-14
[10]
一种生长方向可控制的水平CdS纳米线阵列的制备方法 [P]. 
潘安练 ;
祁朝阳 ;
朱小莉 .
中国专利 :CN104762608B ,2015-07-08