抗高过载SOI压力敏感芯片的结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200520021822.4

申请日：

2005-10-26

公开(公告)号：

CN2888651Y

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

王伟吴亚林张彤迟晓珠张精华

申请人：

申请人地址：

150001黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号

IPC主分类号：

H01L2984

IPC分类号：

B81B702 G01L118

代理机构：

哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司

代理人：

祖玉清

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029290545 IPC(主分类):H01L 29/84 专利号:ZL2005200218224 申请日:20051026 授权公告日:20070411 终止日期:20091126
2007-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SOI压力敏感芯片 [P].

焦贵忠 ;

陈传钊 ;

盛健 .

中国专利 :CN114136528B ,2024-03-01

[2]

一种SOI压力敏感芯片 [P].

焦贵忠 ;

陈传钊 ;

盛健 .

中国专利 :CN114136528A ,2022-03-04

[3]

一种抗高过载的压力传感器 [P].

吴迪 ;

何峰 ;

张龙赐 ;

颜志红 ;

曾庆平 .

中国专利 :CN213842511U ,2021-07-30

[4]

基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片 [P].

揣荣岩 ;

衣畅 ;

张晓民 ;

关若飞 ;

关艳霞 ;

李新 ;

刘一婷 .

中国专利 :CN205317381U ,2016-06-15

[5]

SOI压力传感芯片结构 [P].

张鹏 ;

熊建功 ;

李小刚 ;

赵健 .

中国专利 :CN202710219U ,2013-01-30

[6]

一种基于SOI敏感芯片的小型压力传感器 [P].

焦贵忠 ;

盛健 ;

陈信琦 ;

周宇飞 .

中国专利 :CN114136510B ,2024-01-23

[7]

一种基于SOI敏感芯片的小型压力传感器 [P].

焦贵忠 ;

盛健 ;

陈信琦 ;

周宇飞 .

中国专利 :CN114136510A ,2022-03-04

[8]

一种抗高过载的压力传感器 [P].

吴迪 ;

何峰 ;

张龙赐 ;

颜志红 ;

曾庆平 .

中国专利 :CN112345157A ,2021-02-09

[9]

一种抗高过载的压力传感器 [P].

吴迪 ;

何峰 ;

张龙赐 ;

颜志红 ;

曾庆平 .

中国专利 :CN112345157B ,2025-02-11

[10]

抗高过载旋转平台 [P].

陈建君 ;

陈德旺 ;

庞桂祥 .

中国专利 :CN205870478U ,2017-01-11

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