基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620017149.5

申请日：

2016-01-08

公开(公告)号：

CN205317381U

公开(公告)日：

2016-06-15

发明(设计)人：

揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷

申请人：

申请人地址：

110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号

IPC主分类号：

G01L122

IPC分类号：

B81B300 B81C100

代理机构：

沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115

代理人：

周楠;宋铁军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	授权	授权
2019-12-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01L 1/22 申请日:20160108 授权公告日:20160615 终止日期:20190108

共 50 条

[1]

基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法 [P].

揣荣岩 ;

衣畅 ;

张晓民 ;

关若飞 ;

关艳霞 ;

李新 ;

刘一婷 .

中国专利 :CN105444931A ,2016-03-30

[2]

基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器 [P].

揣荣岩 ;

王健 ;

于能斌 ;

李春峰 .

中国专利 :CN203132745U ,2013-08-14

[3]

基于牺牲层技术的纳米膜压力传感器及其制造方法 [P].

揣荣岩 ;

王健 ;

于能斌 ;

李春峰 .

中国专利 :CN103196596A ,2013-07-10

[4]

基于SOI技术的MEMS压力传感器芯片及其制造方法 [P].

揣荣岩 ;

王健 ;

郭浩 ;

赵豪 .

中国专利 :CN103604538A ,2014-02-26

[5]

一种SOI压力敏感芯片 [P].

焦贵忠 ;

陈传钊 ;

盛健 .

中国专利 :CN114136528B ,2024-03-01

[6]

一种SOI压力敏感芯片 [P].

焦贵忠 ;

陈传钊 ;

盛健 .

中国专利 :CN114136528A ,2022-03-04

[7]

抗高过载SOI压力敏感芯片的结构 [P].

王伟 ;

吴亚林 ;

张彤 ;

迟晓珠 ;

张精华 .

中国专利 :CN2888651Y ,2007-04-11

[8]

一种基于SOI叠层顶层硅的硅压阻压力敏感芯片及其制备方法 [P].

陈信琦 ;

白杨 ;

马加全 ;

任建坤 ;

王家奇 ;

邵帅 .

中国专利 :CN120992065A ,2025-11-21

[9]

一种基于SOI的自补偿硅微谐振式压力敏感芯片 [P].

刘兴宇 ;

尹延昭 ;

王世宁 ;

解涛 ;

郭宏伟 ;

于海超 ;

刘志远 ;

杨志 .

中国专利 :CN109883602A ,2019-06-14

[10]

基于键合技术的SOI加速度敏感芯片制造方法 [P].

揣荣岩 ;

杨宇新 ;

李新 ;

张贺 ;

张冰 .

中国专利 :CN107512699B ,2017-12-26

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