混合共平面SOI衬底结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210575312.6

申请日：

2012-12-26

公开(公告)号：

CN103021927B

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

狄增峰母志强薛忠营陈达张苗王曦

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2712

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-18	授权	授权
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448949744 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2012105753126 申请日:20121226
2013-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

混合共平面衬底结构及其制备方法 [P].

狄增峰 ;

母志强 ;

薛忠营 ;

陈达 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN103021815B ,2013-04-03

[2]

SOI衬底及其制备方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106601663B ,2017-04-26

[3]

SOI衬底及其制备方法 [P].

何小东 .

中国专利 :CN110164814A ,2019-08-23

[4]

SOI衬底结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN118398649A ,2024-07-26

[5]

SOI衬底结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN118398650A ,2024-07-26

[6]

SOI衬底制备方法和SOI衬底 [P].

皇甫幼睿 .

中国专利 :CN105340074A ,2016-02-17

[7]

降低SOI衬底电容效应的衬底结构及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN106876440A ,2017-06-20

[8]

FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法 [P].

徐大朋 ;

薛忠营 ;

罗杰馨 ;

柴展 .

中国专利 :CN113745147A ,2021-12-03

[9]

FD-SOI衬底结构、器件结构的制备方法 [P].

徐大朋 ;

薛忠营 ;

罗杰馨 ;

柴展 .

中国专利 :CN113675135A ,2021-11-19

[10]

SOI衬底结构、PDSOI器件及其制备方法 [P].

谢静怡 ;

张真 ;

王子健 ;

蒋小涵 ;

李玉堂 .

中国专利 :CN119922976A ,2025-05-02

← 1 2 3 4 5 →