SOI衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510683914.7

申请日：

2015-10-20

公开(公告)号：

CN106601663B

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

肖德元张汝京

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

金华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	授权	授权
2017-04-26	公开	公开
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721560151 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2015106839147 申请日:20151020

共 50 条

[1]

SOI衬底及其制备方法 [P].

何小东 .

中国专利 :CN110164814A ,2019-08-23

[2]

SOI衬底制备方法和SOI衬底 [P].

皇甫幼睿 .

中国专利 :CN105340074A ,2016-02-17

[3]

混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 [P].

狄增峰 ;

母志强 ;

薛忠营 ;

陈达 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN103021927B ,2013-04-03

[4]

SOI衬底的制备方法 [P].

陈猛 ;

张晨膑 ;

叶斐 ;

邓飞 .

中国专利 :CN119922975A ,2025-05-02

[5]

SOI衬底的制备方法 [P].

张晨膑 ;

叶斐 ;

刘红兵 ;

张志清 ;

李宣扬 ;

陈猛 .

中国专利 :CN120390454A ,2025-07-29

[6]

SOI衬底结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN118398649A ,2024-07-26

[7]

SOI衬底及其制造方法 [P].

大沼英人 ;

比嘉荣二 .

中国专利 :CN101728312B ,2010-06-09

[8]

SOI衬底结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN118398650A ,2024-07-26

[9]

降低SOI衬底电容效应的衬底结构及其制备方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN106876440A ,2017-06-20

[10]

SOI衬底、SOI器件及其形成方法 [P].

罗浩 .

中国专利 :CN115440790A ,2022-12-06

← 1 2 3 4 5 →