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SOI衬底的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510715840.4
申请日：
2025-05-30
公开(公告)号：
CN120390454A
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
张晨膑 叶斐 刘红兵 张志清 李宣扬 陈猛
申请人：
上海超硅半导体股份有限公司 重庆超硅半导体有限公司
申请人地址：
201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号
IPC主分类号：
H10D86/01
IPC分类号：
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
赵娟娟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
重庆市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-15 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20250530
2025-07-29 公开 公开
共 50 条
[1]
SOI衬底的制备方法 [P]. 
张晨膑 ;
叶斐 ;
刘红兵 ;
张志清 ;
黎敬 ;
陈猛 .
中国专利 :CN120390455A ,2025-07-29
[2]
SOI衬底制备方法和SOI衬底 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN105340074A ,2016-02-17
[3]
SOI衬底的制备方法 [P]. 
刘松 ;
李炜 ;
魏星 ;
刘燕 ;
李文龙 .
中国专利 :CN120711834A ,2025-09-26
[4]
SOI衬底的制备方法 [P]. 
陈猛 ;
张晨膑 ;
叶斐 ;
邓飞 .
中国专利 :CN119922975A ,2025-05-02
[5]
SOI衬底及其制备方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN106601663B ,2017-04-26
[6]
SOI衬底及其制备方法 [P]. 
何小东 .
中国专利 :CN110164814A ,2019-08-23
[7]
多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底 [P]. 
朴振源 .
韩国专利 :CN113345833B ,2024-10-25
[8]
多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底 [P]. 
朴振源 .
中国专利 :CN113345833A ,2021-09-03
[9]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
朴振源 .
中国专利 :CN113133326A ,2021-07-16
[10]
SOI衬底的制造方法 [P]. 
远藤佑太 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN101533769B ,2009-09-16
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