横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011126263.9

申请日：

2020-10-20

公开(公告)号：

CN112768525A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

C·C·马

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423 H01L21336

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

秦晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管 [P].

C·C·马 .

美国专利 :CN112768525B ,2025-04-29

[2]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

刘龙平 ;

令海阳 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101707209A ,2010-05-12

[3]

横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法 [P].

李连杰 ;

张辉明 ;

张璐 ;

柯旭 ;

吴汐玥 .

中国专利 :CN119584594A ,2025-03-07

[4]

电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

蒋秋志 ;

黄志丰 .

中国专利 :CN200990379Y ,2007-12-12

[5]

一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管 [P].

J·约翰逊 ;

N·阿肯斯塔姆 .

中国专利 :CN1524296A ,2004-08-25

[6]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

玛利安乌德瑞·斯班内 ;

法瑞尔玛瑞纳斯科 .

中国专利 :CN103715260B ,2014-04-09

[7]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108039371A ,2018-05-15

[8]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

晏锦辉 ;

张孝坤 ;

杨承瑜 ;

贾秋凌 .

中国专利 :CN114830352A ,2022-07-29

[9]

横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

田意 ;

徐大伟 .

中国专利 :CN111293163A ,2020-06-16

[10]

横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

韦维克 ;

陈柏安 .

中国专利 :CN109326649B ,2019-02-12

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