横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711245171.0

申请日：

2017-12-01

公开(公告)号：

CN108039371A

公开(公告)日：

2018-05-15

发明(设计)人：

柯天麒姜鹏汤茂亮

申请人：

申请人地址：

223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

欧阳帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171201
2021-01-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180515
2018-05-15	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

玛利安乌德瑞·斯班内 ;

法瑞尔玛瑞纳斯科 .

中国专利 :CN103715260B ,2014-04-09

[2]

横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法 [P].

李连杰 ;

张辉明 ;

张璐 ;

柯旭 ;

吴汐玥 .

中国专利 :CN119584594A ,2025-03-07

[3]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

庄学理 ;

张立伟 ;

朱鸣 .

中国专利 :CN102148162B ,2011-08-10

[4]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN103178091A ,2013-06-26

[5]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

高国磊 ;

宋婉 ;

张磊 ;

王晓日 .

中国专利 :CN121194492A ,2025-12-23

[6]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

晏锦辉 ;

张孝坤 ;

杨承瑜 ;

贾秋凌 .

中国专利 :CN114830352A ,2022-07-29

[7]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

洪佳民 .

中国专利 :CN106549052A ,2017-03-29

[8]

横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

B·格罗特 ;

L·拉蒂克 .

中国专利 :CN112838124A ,2021-05-25

[9]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

纪刚 ;

顾建平 .

中国专利 :CN103390645A ,2013-11-13

[10]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

林韦志 ;

徐志嘉 ;

黄胤富 .

中国专利 :CN108281484A ,2018-07-13

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