横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110037576.1

申请日：

2011-01-31

公开(公告)号：

CN102148162B

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

庄学理张立伟朱鸣

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2908

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张浴月;刘文意

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	授权	授权
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110109334 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011100375761 申请日:20110131
2011-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

玛利安乌德瑞·斯班内 ;

法瑞尔玛瑞纳斯科 .

中国专利 :CN103715260B ,2014-04-09

[2]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN103178091A ,2013-06-26

[3]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

高国磊 ;

宋婉 ;

张磊 ;

王晓日 .

中国专利 :CN121194492A ,2025-12-23

[4]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108039371A ,2018-05-15

[5]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

晏锦辉 ;

张孝坤 ;

杨承瑜 ;

贾秋凌 .

中国专利 :CN114830352A ,2022-07-29

[6]

横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管及其制造方法 [P].

李连杰 ;

张辉明 ;

张璐 ;

柯旭 ;

吴汐玥 .

中国专利 :CN119584594A ,2025-03-07

[7]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

纪刚 ;

顾建平 .

中国专利 :CN103390645A ,2013-11-13

[8]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

林韦志 ;

徐志嘉 ;

黄胤富 .

中国专利 :CN108281484A ,2018-07-13

[9]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

洪佳民 .

中国专利 :CN106549052A ,2017-03-29

[10]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

刘龙平 ;

令海阳 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101707209A ,2010-05-12

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