横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011312930.2
申请日
2020-11-20
公开(公告)号
CN112838124A
公开(公告)日
2021-05-25
发明(设计)人
S·R·梅霍特拉 B·格罗特 L·拉蒂克
申请人
申请人地址
美国得克萨斯
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2940 H01L21336
代理机构
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人
张小稳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P]. 
苏米特拉·拉杰·梅赫罗特拉 .
中国专利 :CN114256353A ,2022-03-29
[2]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
柯天麒 ;
姜鹏 ;
汤茂亮 .
中国专利 :CN108039371A ,2018-05-15
[3]
金属氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P]. 
张文 ;
胡伯康 ;
杰米薛佛 ;
大卫·C.·吉摩尔 ;
菲尔托宾 .
中国专利 :CN101304041B ,2008-11-12
[4]
横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
桂林春 ;
王乐 ;
林奕琼 .
中国专利 :CN102263029A ,2011-11-30
[5]
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
朴日用 .
中国专利 :CN101471380A ,2009-07-01
[6]
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
李孟烈 .
中国专利 :CN100578811C ,2007-06-20
[7]
横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
游步东 ;
王猛 ;
吕政 .
中国专利 :CN104241384A ,2014-12-24
[8]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
玛利安乌德瑞·斯班内 ;
法瑞尔玛瑞纳斯科 .
中国专利 :CN103715260B ,2014-04-09
[9]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
庄学理 ;
张立伟 ;
朱鸣 .
中国专利 :CN102148162B ,2011-08-10
[10]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P]. 
邓永平 .
中国专利 :CN103178091A ,2013-06-26