横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111103121.5

申请日：

2021-09-18

公开(公告)号：

CN114256353A

公开(公告)日：

2022-03-29

发明(设计)人：

苏米特拉·拉杰·梅赫罗特拉

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2348 H01L21768 H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

纪雯

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

B·格罗特 ;

L·拉蒂克 .

中国专利 :CN112838124A ,2021-05-25

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其形成方法 [P].

张文 ;

胡伯康 ;

杰米薛佛 ;

大卫·C.·吉摩尔 ;

菲尔托宾 .

中国专利 :CN101304041B ,2008-11-12

[3]

横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

桂林春 ;

王乐 ;

林奕琼 .

中国专利 :CN102263029A ,2011-11-30

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101471380A ,2009-07-01

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN100578811C ,2007-06-20

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

游步东 ;

王猛 ;

吕政 .

中国专利 :CN104241384A ,2014-12-24

[7]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108039371A ,2018-05-15

[8]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[9]

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

林正基 ;

苏醒 ;

朱建文 ;

连士进 ;

叶清本 .

中国专利 :CN103972294A ,2014-08-06

[10]

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

林正基 ;

苏醒 ;

朱建文 ;

连士进 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1979893A ,2007-06-13

← 1 2 3 4 5 →