横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410224706.6

申请日：

2005-11-29

公开(公告)号：

CN103972294A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

林正基苏醒朱建文连士进叶清本

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

焦玉恒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	公开	公开
2017-10-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101760280084 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102247066 申请公布日:20140806
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586677542 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102247066 申请日:20051129

共 50 条

[1]

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

林正基 ;

苏醒 ;

朱建文 ;

连士进 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1979893A ,2007-06-13

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

[8]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101471380A ,2009-07-01

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN100578811C ,2007-06-20

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