金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711389181.1

申请日：

2017-12-21

公开(公告)号：

CN108155151A

公开(公告)日：

2018-06-12

发明(设计)人：

柯天麒姜鹏汤茂亮

申请人：

申请人地址：

223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2910 H01L2978 H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

马景辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20171221
2018-06-12	公开	公开
2020-10-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20180612

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

[2]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

[8]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[9]

金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法 [P].

王晓泉 ;

前田茂伸 ;

金旼炷 .

中国专利 :CN101393933A ,2009-03-25

[10]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李文芳 ;

林淑雯 ;

陈冠全 .

中国专利 :CN104979390A ,2015-10-14

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