金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510087320.6

申请日：

2005-07-28

公开(公告)号：

CN1797784A

公开(公告)日：

2006-07-05

发明(设计)人：

崔俊基韩熙贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2702

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨红梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-28	授权	授权
2006-08-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-09-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101746559990 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2005100873206 申请日:20050728 授权公告日:20090128 终止日期:20160728
2006-07-05	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李文芳 ;

林淑雯 ;

陈冠全 .

中国专利 :CN104979390A ,2015-10-14

[9]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

陈辉煌 .

中国专利 :CN100490175C ,2007-03-21

[10]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

吴荣宗 ;

陈冠全 ;

戴炘 ;

吕安泰 ;

张堡安 .

中国专利 :CN100565923C ,2009-01-14

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