金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910125919.6

申请日：

2019-02-20

公开(公告)号：

CN111599860A

公开(公告)日：

2020-08-28

发明(设计)人：

许祥华黄良安钟昇镇郭镇铵李秋德王智充陈广修林克峰李彦辉胡凯婷

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	公开	公开
2020-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190220

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李文芳 ;

林淑雯 ;

陈冠全 .

中国专利 :CN104979390A ,2015-10-14

[9]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

陈辉煌 .

中国专利 :CN100490175C ,2007-03-21

[10]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

吴荣宗 ;

陈冠全 ;

戴炘 ;

吕安泰 ;

张堡安 .

中国专利 :CN100565923C ,2009-01-14

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