金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610121572.0

申请日：

2006-08-23

公开(公告)号：

CN101131935A

公开(公告)日：

2008-02-27

发明(设计)人：

郑博伦刘哲宏

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-02-27	公开	公开
2009-04-15	授权	授权
2008-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

萧世楹 ;

游焜煌 ;

李文芳 ;

林淑雯 ;

陈冠全 .

中国专利 :CN104979390A ,2015-10-14

[9]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

陈辉煌 .

中国专利 :CN100490175C ,2007-03-21

[10]

高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

吴荣宗 ;

陈冠全 ;

戴炘 ;

吕安泰 ;

张堡安 .

中国专利 :CN100565923C ,2009-01-14

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