金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810169121.3

申请日：

2006-04-28

公开(公告)号：

CN101393933A

公开(公告)日：

2009-03-25

发明(设计)人：

王晓泉前田茂伸金旼炷

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2949 H01L29423 H01L21336 H01L2712 H01L27092 H01L2184 H01L218238

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	授权	授权
2009-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

高速/高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

金贤植 ;

申宪宗 ;

李受哲 .

中国专利 :CN1218298A ,1999-06-02

[2]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[3]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

[5]

碰撞电离金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

陈德艳 ;

郑大燮 ;

张立夫 .

中国专利 :CN101894865A ,2010-11-24

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[8]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[9]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[10]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

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