碰撞电离金属氧化物半导体晶体管及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910085336.1

申请日：

2009-05-21

公开(公告)号：

CN101894865A

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

陈德艳郑大燮张立夫

申请人：

申请人地址：

100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2910 H01L21336 H01L21265 H01L21324

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20090521 授权公告日:20120912 终止日期:20200521
2011-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101029375311 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009100853361 申请日:20090521
2012-09-12	授权	授权
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及相关制造方法 [P].

王晓泉 ;

前田茂伸 ;

金旼炷 .

中国专利 :CN101393933A ,2009-03-25

[2]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

[3]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[4]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

郑博伦 ;

刘哲宏 .

中国专利 :CN101131935A ,2008-02-27

[5]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

孙容宣 ;

柳昌雨 ;

李政烨 .

中国专利 :CN1257554C ,2003-12-03

[6]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

许祥华 ;

黄良安 ;

钟昇镇 ;

郭镇铵 ;

李秋德 ;

王智充 ;

陈广修 ;

林克峰 ;

李彦辉 ;

胡凯婷 .

中国专利 :CN111599860A ,2020-08-28

[7]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108155151A ,2018-06-12

[8]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

崔俊基 ;

韩熙贤 .

中国专利 :CN1797784A ,2006-07-05

[9]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

徐哲 ;

王世军 ;

周永强 ;

刘帅 .

中国专利 :CN119545837A ,2025-02-28

[10]

金属氧化物半导体晶体管及其制造工艺 [P].

潘俊 .

中国专利 :CN114171599A ,2022-03-11

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