横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610063940.0

申请日：

2006-10-25

公开(公告)号：

CN100578811C

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

李孟烈

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936 H01L21336 H01L21265

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-20	公开	公开
2015-12-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101637678825 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006100639400 申请日:20061025 授权公告日:20100106 终止日期:20141025
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101471380A ,2009-07-01

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

游步东 .

中国专利 :CN101656215B ,2010-02-24

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

游步东 ;

王猛 ;

吕政 .

中国专利 :CN104241384A ,2014-12-24

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102254823B ,2011-11-23

[5]

可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102394246A ,2012-03-28

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN104347373A ,2015-02-11

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法 [P].

游步东 .

中国专利 :CN101819937B ,2010-09-01

[8]

双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

大竹诚治 ;

菊地修一 ;

武田安弘 ;

牧贤一 .

中国专利 :CN101567387A ,2009-10-28

[9]

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

林正基 ;

苏醒 ;

朱建文 ;

连士进 ;

叶清本 .

中国专利 :CN103972294A ,2014-08-06

[10]

横向双重扩散式金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

林正基 ;

苏醒 ;

朱建文 ;

连士进 ;

叶清本 .

中国专利 :CN1979893A ,2007-06-13

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