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横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201010182772.3
申请日：
2010-05-20
公开(公告)号：
CN102254823B
公开(公告)日：
2011-11-23
发明(设计)人：
刘金华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21762
H01L2978
代理机构：
北京市磐华律师事务所 11336
代理人：
董巍;谢栒
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2012-01-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101165561808 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101827723 申请日:20100520 |
| 2013-05-01 | 授权 | 授权 |
| 2013-02-06 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101510800150 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101827723 变更事项:申请人 变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号 变更事项:申请人 变更前权利人:无 变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 登记生效日:20130106 |
| 2011-11-23 | 公开 | 公开 |