横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010154520.X

申请日：

2010-04-02

公开(公告)号：

CN101819937B

公开(公告)日：

2010-09-01

发明(设计)人：

游步东

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2702

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20211221 变更事项:专利权人变更前权利人:矽力杰半导体技术(杭州）有限公司变更后权利人:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更事项:地址变更前权利人:310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室变更后权利人:浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号变更事项:专利权人变更前权利人:矽力杰公司
2010-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101008888205 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201010154520X 申请日:20100402
2010-09-01	公开	公开
2012-11-14	授权	授权
2012-07-25	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101431337840 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:201010154520X 变更事项:申请人变更前:杭州矽力杰半导体技术有限公司变更后:矽力杰半导体技术(杭州)有限公司变更事项:地址变更前:310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 变更后:310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室变更事项:共同申请人变更前:矽力杰公司变更后:矽力杰公司

共 50 条

[1]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

游步东 .

中国专利 :CN101656215B ,2010-02-24

[2]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN104347373A ,2015-02-11

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

朴日用 .

中国专利 :CN101471380A ,2009-07-01

[4]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN100578811C ,2007-06-20

[5]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

游步东 ;

王猛 ;

吕政 .

中国专利 :CN104241384A ,2014-12-24

[6]

横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN102254823B ,2011-11-23

[7]

可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法 [P].

唐树澍 .

中国专利 :CN102394246A ,2012-03-28

[8]

双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

大竹诚治 ;

菊地修一 ;

武田安弘 ;

牧贤一 .

中国专利 :CN101567387A ,2009-10-28

[9]

一种双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法 [P].

林和 ;

黄宏嘉 ;

牛崇实 ;

洪学天 .

中国专利 :CN113594040B ,2021-11-02

[10]

N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 [P].

钱钦松 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

徐申 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN101587910A ,2009-11-25

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