一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01136694.X

申请日：

2001-10-26

公开(公告)号：

CN1195106C

公开(公告)日：

2003-04-30

发明(设计)人：

屠海令秦福周旗钢张果虎方锋吴志强戴小林

申请人：

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

IPC主分类号：

C30B1504

IPC分类号：

代理机构：

北京元中知识产权代理有限责任公司

代理人：

母宗绪

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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共 50 条

[1]

直拉硅单晶的掺杂装置及方法 [P].

刘进 ;

王忠保 ;

李巨晓 ;

芮阳 ;

魏兴彤 ;

马小龙 ;

虎永慧 .

中国专利 :CN113549994B ,2021-10-26

[2]

直拉硅单晶生长的重掺杂方法 [P].

沈益军 ;

马向阳 ;

田达晰 ;

李立本 ;

阙端麟 .

中国专利 :CN1109778C ,2002-02-27

[3]

一种直拉硅单晶的装料方法及其装置 [P].

庞邦永 .

中国专利 :CN102653882A ,2012-09-05

[4]

一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法 [P].

韩海建 ;

戴小林 ;

吴志强 ;

王学峰 .

中国专利 :CN101671841B ,2010-03-17

[5]

直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法 [P].

周俭 .

中国专利 :CN102234836A ,2011-11-09

[6]

一种直拉硅单晶的镓元素掺杂装置及其掺杂方法 [P].

孙新利 ;

郭兵健 ;

黄笑容 ;

何国君 ;

徐一俊 .

中国专利 :CN102409395A ,2012-04-11

[7]

直拉硅单晶的收尾方法及直拉硅单晶的制备方法 [P].

王思锋 ;

潘永娥 ;

潘得俊 .

中国专利 :CN106676621B ,2017-05-17

[8]

磁场直拉硅单晶的制备方法 [P].

沈浩平 ;

胡元庆 ;

汪雨田 ;

刘为钢 ;

李翔 ;

刘宇 ;

李海静 ;

周建华 .

中国专利 :CN1763265A ,2006-04-26

[9]

直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置 [P].

郭兵健 ;

王飞尧 ;

何国君 ;

黄笑容 ;

肖型奎 .

中国专利 :CN101787566B ,2010-07-28

[10]

一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器 [P].

屠海令 ;

周旗钢 ;

张果虎 ;

戴小林 ;

吴志强 ;

方锋 .

中国专利 :CN1414148A ,2003-04-30

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-13	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C30B 15/04 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料有限公司变更后:有研半导体硅材料股份公司变更事项:地址变更前:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧变更后:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2012-03-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101292927232 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL01136694X 变更事项:专利权人变更前权利人:北京有色金属研究总院变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号变更后权利人:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更事项:共同专利权人变更前权利人:有研半导体材料股份有限公司变更后权利人:无登记生效日:20120118
2015-10-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722158986 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL01136694X 登记生效日:20150921 变更事项:专利权人变更前权利人:有研新材料股份有限公司变更后权利人:有研半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市两城区新街口外人街2号变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2014-07-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702380062 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL01136694X 变更事项:专利权人变更前:有研半导体材料股份有限公司变更后:有研新材料股份有限公司变更事项:地址变更前:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更后:100088 北京市西城区新街口外大街2号
2015-07-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101717925032 IPC(主分类):C30B 15/04 专利号:ZL01136694X 变更事项:专利权人变更前权利人:有研新材料股份有限公司变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市西城区新街口外大街2号变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧登记生效日:20150626
2005-03-30	授权	授权
2003-04-30	公开	公开
2021-11-12	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 15/04 申请日:20011026 授权公告日:20050330
2009-03-18	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2008990001460 让与人:北京有色金属研究总院\|有研半导体材料股份有限公司受让人:国泰半导体材料有限公司发明名称:一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置申请日:20011026 授权公告日:20050330 许可种类:独占许可备案日期:20081215 合同履行期限:2008.12.10至2014.12.10合同变更
2003-12-03	实质审查的生效	实质审查的生效