半导体器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010227271.2

申请日：

2010-07-07

公开(公告)号：

CN102315126A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

朱慧珑刘洪刚骆志炯梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2902

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	公开	公开
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194110853 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010102272712 申请日:20100707
2018-01-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20120111

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘焕新 ;

焦明洁 .

中国专利 :CN104752352A ,2015-07-01

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

林江山 ;

叶蕾 ;

刘俊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118571839A ,2024-08-30

[3]

一种半导体器件及其制作方法、电子装置 [P].

林静 .

中国专利 :CN106373886A ,2017-02-01

[4]

半导体器件及其制作方法 [P].

刘煊杰 ;

陈晓军 .

中国专利 :CN103000571B ,2013-03-27

[5]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101246903A ,2008-08-20

[6]

半导体器件及其制作方法 [P].

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102214690A ,2011-10-12

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

毛智彪 ;

胡友存 .

中国专利 :CN102969269A ,2013-03-13

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

张春艳 ;

孙鹏 ;

李恒甫 ;

包焓 ;

曹立强 .

中国专利 :CN110690164A ,2020-01-14

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

宛伟 .

中国专利 :CN111128895A ,2020-05-08

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

王津洲 .

中国专利 :CN101211970B ,2008-07-02

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