改进的晶体管沟道

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510310452.4

申请日：

2015-06-08

公开(公告)号：

CN105720090A

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

郑有宏蔡庆威杜友伦林东毅陈韦立

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2908

IPC分类号：

H01L2978 H01L2966

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-03	授权	授权
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671891839 IPC(主分类):H01L 29/08 专利申请号:2015103104524 申请日:20150608
2016-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体管沟道材料 [P].

A·A·夏尔马 ;

N·萨托 ;

V·H·勒 ;

S·阿塔纳索夫 ;

A·S·古普塔 ;

M·V·梅斯 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN114628501A ,2022-06-14

[2]

n-沟道晶体管 [P].

L-L·蔡 ;

P·K-H·侯 ;

R·H·弗兰德 .

中国专利 :CN1918722B ,2007-02-21

[3]

改进的射频功率晶体管 [P].

T·约翰逊 .

中国专利 :CN1352806A ,2002-06-05

[4]

晶体管沟道区域界面的钝化 [P].

G.A.格拉斯 ;

M.R.布拉齐尔 ;

A.S.墨菲 ;

T.加尼 ;

O.Y.洛 .

中国专利 :CN108028276A ,2018-05-11

[5]

垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378127B ,2013-10-30

[6]

多沟道晶体管 [P].

格雷戈里·布宁 ;

塔玛拉·巴克什特 .

中国专利 :CN105247680A ,2016-01-13

[7]

晶体管和用于制造晶体管的方法 [P].

W.达韦斯 .

中国专利 :CN105283959A ,2016-01-27

[8]

与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触 [P].

D.克伦 ;

C.韦伯 ;

R.梅汉鲁 ;

H.肯内尔 ;

B.楚-孔 .

美国专利 :CN111033754B ,2025-07-25

[9]

与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触 [P].

D.克伦 ;

C.韦伯 ;

R.梅汉鲁 ;

H.肯内尔 ;

B.楚-孔 .

中国专利 :CN111033754A ,2020-04-17

[10]

沟道区中具有硅和碳层的晶体管 [P].

H·-J·李 .

中国专利 :CN100487908C ,2007-01-24

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