沟道区中具有硅和碳层的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480039538.8

申请日：

2004-11-26

公开(公告)号：

CN100487908C

公开(公告)日：

2007-01-24

发明(设计)人：

H·-J·李

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2104 H01L2949 H01L2951

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;魏军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-13	授权	授权
2007-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20041126 授权公告日:20090513 终止日期:20171126
2007-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

改进的晶体管沟道 [P].

郑有宏 ;

蔡庆威 ;

杜友伦 ;

林东毅 ;

陈韦立 .

中国专利 :CN105720090A ,2016-06-29

[2]

具有堆叠半导体层作为沟道的晶体管 [P].

杨宗熺 ;

游明华 ;

游政卫 .

中国专利 :CN111106010A ,2020-05-05

[3]

沟道层和包括该沟道层的晶体管 [P].

金善日 ;

宋利宪 ;

金昌桢 ;

朴宰彻 ;

金尚昱 .

中国专利 :CN101630692A ,2010-01-20

[4]

具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管 [P].

D·G·帕蒂 .

中国专利 :CN114695260A ,2022-07-01

[5]

具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管 [P].

杨育佳 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2699480Y ,2005-05-11

[6]

具有隔离区的晶体管 [P].

乌梅什·米什拉 ;

斯拉班缇·乔杜里 .

中国专利 :CN103262244B ,2013-08-21

[7]

晶体管沟道材料 [P].

A·A·夏尔马 ;

N·萨托 ;

V·H·勒 ;

S·阿塔纳索夫 ;

A·S·古普塔 ;

M·V·梅斯 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN114628501A ,2022-06-14

[8]

具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构 [P].

杨育佳 ;

林俊杰 ;

李文钦 ;

胡正明 .

中国专利 :CN2720640Y ,2005-08-24

[9]

嵌埋硅/锗材料相对沟道区的偏移降低的晶体管 [P].

S·克朗霍尔兹 ;

M·连斯基 ;

A·魏 ;

A·奥特 .

中国专利 :CN102282668A ,2011-12-14

[10]

具有富锗沟道区的降低泄漏的晶体管 [P].

G.A.格拉斯 ;

K.贾姆布纳坦 ;

A.S.墨菲 ;

C.S.莫哈帕特拉 ;

S.金 ;

姜俊成 .

:CN113838755B ,2025-03-21

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