具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管

被引:0
申请号
CN202111637836.9
申请日
2021-12-29
公开(公告)号
CN114695260A
公开(公告)日
2022-07-01
发明(设计)人
D·G·帕蒂
申请人
申请人地址
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
H01L218234
IPC分类号
H01L21336 H01L27088 H01L2978
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
黄海鸣
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
沟道区中具有硅和碳层的晶体管 [P]. 
H·-J·李 .
中国专利 :CN100487908C ,2007-01-24
[2]
具有自对准本体注入的横向晶体管 [P]. 
A·格拉茨 ;
J·福尔 ;
S·潘迪 .
中国专利 :CN113871301A ,2021-12-31
[3]
具有外延源区和漏区的金属栅晶体管 [P]. 
N·林德特 ;
J·布拉斯克 ;
A·韦斯特梅耶 .
中国专利 :CN103560150B ,2014-02-05
[4]
具有外延源区和漏区的金属栅晶体管 [P]. 
N·林德特 ;
J·布拉斯克 ;
A·韦斯特梅耶 .
中国专利 :CN101027763A ,2007-08-29
[5]
具有带抬升区的栅极的晶体管 [P]. 
蔡军 .
美国专利 :CN111226306B ,2024-08-09
[6]
具有带抬升区的栅极的晶体管 [P]. 
蔡军 .
中国专利 :CN111226306A ,2020-06-02
[7]
具有隔离区的晶体管 [P]. 
乌梅什·米什拉 ;
斯拉班缇·乔杜里 .
中国专利 :CN103262244B ,2013-08-21
[8]
具有自对准沟道宽度的晶体管 [P]. 
柳政澔 ;
真锅宗平 .
中国专利 :CN103066111A ,2013-04-24
[9]
MOS晶体管体区的掺杂方法 [P]. 
张盛东 ;
廖聪维 ;
孙雷 ;
陈文新 ;
韩汝琦 .
中国专利 :CN100561692C ,2008-03-26
[10]
具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法 [P]. 
S·D·海尼 ;
A·萨多夫尼科夫 .
美国专利 :CN114068717B ,2025-12-09