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具有自对准栅极区和本体区的分裂栅沟道MOS晶体管
被引:0
申请号
:
CN202111637836.9
申请日
:
2021-12-29
公开(公告)号
:
CN114695260A
公开(公告)日
:
2022-07-01
发明(设计)人
:
D·G·帕蒂
申请人
:
申请人地址
:
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
:
H01L218234
IPC分类号
:
H01L21336
H01L27088
H01L2978
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
黄海鸣
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请日:20211229
2022-07-01
公开
公开
共 50 条
[1]
沟道区中具有硅和碳层的晶体管
[P].
H·-J·李
论文数:
0
引用数:
0
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0
H·-J·李
.
中国专利
:CN100487908C
,2007-01-24
[2]
具有自对准本体注入的横向晶体管
[P].
A·格拉茨
论文数:
0
引用数:
0
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0
A·格拉茨
;
J·福尔
论文数:
0
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0
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0
J·福尔
;
S·潘迪
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·潘迪
.
中国专利
:CN113871301A
,2021-12-31
[3]
具有外延源区和漏区的金属栅晶体管
[P].
N·林德特
论文数:
0
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0
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0
N·林德特
;
J·布拉斯克
论文数:
0
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0
J·布拉斯克
;
A·韦斯特梅耶
论文数:
0
引用数:
0
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0
A·韦斯特梅耶
.
中国专利
:CN103560150B
,2014-02-05
[4]
具有外延源区和漏区的金属栅晶体管
[P].
N·林德特
论文数:
0
引用数:
0
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0
N·林德特
;
J·布拉斯克
论文数:
0
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0
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J·布拉斯克
;
A·韦斯特梅耶
论文数:
0
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0
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0
A·韦斯特梅耶
.
中国专利
:CN101027763A
,2007-08-29
[5]
具有带抬升区的栅极的晶体管
[P].
蔡军
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
德州仪器公司
德州仪器公司
蔡军
.
美国专利
:CN111226306B
,2024-08-09
[6]
具有带抬升区的栅极的晶体管
[P].
蔡军
论文数:
0
引用数:
0
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0
蔡军
.
中国专利
:CN111226306A
,2020-06-02
[7]
具有隔离区的晶体管
[P].
乌梅什·米什拉
论文数:
0
引用数:
0
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0
乌梅什·米什拉
;
斯拉班缇·乔杜里
论文数:
0
引用数:
0
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0
斯拉班缇·乔杜里
.
中国专利
:CN103262244B
,2013-08-21
[8]
具有自对准沟道宽度的晶体管
[P].
柳政澔
论文数:
0
引用数:
0
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0
柳政澔
;
真锅宗平
论文数:
0
引用数:
0
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0
真锅宗平
.
中国专利
:CN103066111A
,2013-04-24
[9]
MOS晶体管体区的掺杂方法
[P].
张盛东
论文数:
0
引用数:
0
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0
张盛东
;
廖聪维
论文数:
0
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0
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0
廖聪维
;
孙雷
论文数:
0
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0
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孙雷
;
陈文新
论文数:
0
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0
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0
陈文新
;
韩汝琦
论文数:
0
引用数:
0
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0
韩汝琦
.
中国专利
:CN100561692C
,2008-03-26
[10]
具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法
[P].
S·D·海尼
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
德州仪器公司
德州仪器公司
S·D·海尼
;
A·萨多夫尼科夫
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
德州仪器公司
德州仪器公司
A·萨多夫尼科夫
.
美国专利
:CN114068717B
,2025-12-09
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