沟道层和包括该沟道层的晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910140008.7

申请日：

2009-07-14

公开(公告)号：

CN101630692A

公开(公告)日：

2010-01-20

发明(设计)人：

金善日宋利宪金昌桢朴宰彻金尚昱

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2912 H01L29267

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

韩明星;刘奕晴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-02	授权	授权
2011-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101095708961 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009101400087 申请日:20090714
2010-01-20	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直沟道晶体管以及包括垂直沟道晶体管的存储器件 [P].

金真怜 ;

宋基焕 .

中国专利 :CN101150132B ,2008-03-26

[2]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

韩国专利 :CN111725314B ,2024-02-23

[3]

多方向沟道晶体管和包括多方向沟道晶体管的半导体器件 [P].

丁海仁 ;

郑文泳 ;

韩俊 ;

山田悟 .

中国专利 :CN111725314A ,2020-09-29

[4]

沟道区中具有硅和碳层的晶体管 [P].

H·-J·李 .

中国专利 :CN100487908C ,2007-01-24

[5]

具有堆叠半导体层作为沟道的晶体管 [P].

杨宗熺 ;

游明华 ;

游政卫 .

中国专利 :CN111106010A ,2020-05-05

[6]

使用多有源沟道层的薄膜晶体管 [P].

彦·叶 .

中国专利 :CN103187307A ,2013-07-03

[7]

使用多有源沟道层的薄膜晶体管 [P].

彦·叶 .

中国专利 :CN102124569B ,2011-07-13

[8]

晶体管沟道材料 [P].

A·A·夏尔马 ;

N·萨托 ;

V·H·勒 ;

S·阿塔纳索夫 ;

A·S·古普塔 ;

M·V·梅斯 ;

H·J·允 .

中国专利 :CN114628501A ,2022-06-14

[9]

分别应变的N沟道和P沟道晶体管 [P].

斯科特·K·鲍兹德尔 ;

塞利·M.·塞里克 ;

比阳·W.·民 ;

万斯·H.·阿达姆斯 .

中国专利 :CN100508130C ,2007-04-25

[10]

非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法 [P].

张家朝 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

黄亚清 ;

李建华 .

中国专利 :CN104576751A ,2015-04-29

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