非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410713417.2

申请日：

2014-12-02

公开(公告)号：

CN104576751A

公开(公告)日：

2015-04-29

发明(设计)人：

张家朝李建任思雨苏君海黄亚清李建华

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道666号科融创业大厦13层

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

邓义华;陈卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	公开	公开
2019-04-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20150429
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614375126 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014107134172 申请日:20141202

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法 [P].

卓恩宗 ;

刘婉懿 ;

陈佳楷 ;

林武雄 ;

陈俊雄 ;

黄伟明 .

中国专利 :CN101789450A ,2010-07-28

[2]

薄膜晶体管的沟道层、薄膜晶体管及它们的制造方法 [P].

金善日 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

姜东勋 ;

金昌桢 ;

朴宰撤 .

中国专利 :CN101335301B ,2008-12-31

[3]

使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李东炫 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

郑珉在 ;

孙榕德 ;

苏炳洙 ;

朴承圭 ;

李吉远 ;

郑胤谟 ;

朴炳建 ;

朴钟力 ;

李卓泳 ;

郑在琓 .

中国专利 :CN102214556B ,2011-10-12

[4]

薄膜晶体管阵列基板及其沟道形成方法 [P].

许宗义 .

中国专利 :CN103311129A ,2013-09-18

[5]

使用多有源沟道层的薄膜晶体管 [P].

彦·叶 .

中国专利 :CN102124569B ,2011-07-13

[6]

使用多有源沟道层的薄膜晶体管 [P].

彦·叶 .

中国专利 :CN103187307A ,2013-07-03

[7]

薄膜晶体管的沟道形成方法及补偿电路 [P].

许宗义 .

中国专利 :CN103325688A ,2013-09-25

[8]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

江庆军 ;

孙汝杰 ;

闫伟超 ;

杨振辉 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104022159B ,2014-09-03

[9]

用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法 [P].

吕建国 ;

吴传佳 ;

叶志镇 ;

张杰 ;

吴萍 ;

陈凌翔 ;

江庆军 ;

孙汝杰 .

中国专利 :CN103219393A ,2013-07-24

[10]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

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