薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010106352.7

申请日：

2010-01-26

公开(公告)号：

CN101789450A

公开(公告)日：

2010-07-28

发明(设计)人：

卓恩宗刘婉懿陈佳楷林武雄陈俊雄黄伟明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L21321

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

任默闻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101006019048 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2010101063527 申请日:20100126
2012-02-01	授权	授权
2010-07-28	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管的沟道层、薄膜晶体管及它们的制造方法 [P].

金善日 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

姜东勋 ;

金昌桢 ;

朴宰撤 .

中国专利 :CN101335301B ,2008-12-31

[2]

非晶硅沟道层、薄膜晶体管及沟道层的形成方法 [P].

张家朝 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

黄亚清 ;

李建华 .

中国专利 :CN104576751A ,2015-04-29

[3]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李根洙 ;

朴炳建 .

中国专利 :CN1734788B ,2006-02-15

[4]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

中岛都 ;

宫入秀和 ;

伊佐敏行 ;

加藤绘里香 ;

一条充弘 ;

栗城和贵 ;

横井智和 .

中国专利 :CN101937932B ,2011-01-05

[5]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

若松贞次 ;

菊池亨 ;

桥本征典 ;

仓田敬臣 ;

浅利伸 ;

斋藤一也 .

中国专利 :CN100550426C ,2006-10-04

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

笹川慎也 ;

石塚章广 ;

古川忍 ;

仓田求 .

中国专利 :CN102148257A ,2011-08-10

[7]

薄膜晶体管及该薄膜晶体管的制造方法 [P].

宫入秀和 ;

加藤绘里香 ;

铃木邦彦 .

中国专利 :CN101834140A ,2010-09-15

[8]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

铃木浩司 .

中国专利 :CN1287468C ,2004-01-21

[9]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

黄显相 .

韩国专利 :CN119452755A ,2025-02-14

[10]

薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

潘仲慧 ;

宫迫毅明 ;

李金望 .

中国专利 :CN104221154B ,2014-12-17

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