一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法和系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011137576.4

申请日：

2020-10-22

公开(公告)号：

CN112271235A

公开(公告)日：

2021-01-26

发明(设计)人：

上官泉元闫路

申请人：

申请人地址：

225500 江苏省泰州市姜堰区姜堰经济开发区陈庄路600号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

北京集智东方知识产权代理有限公司 11578

代理人：

吴倩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20201022
2021-01-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种TOPCon太阳能电池原位掺杂钝化层的制备方法和系统 [P].

闫路 ;

上官泉元 .

中国专利 :CN112271237B ,2021-01-26

[2]

TOPCon太阳能电池的制备方法及TOPCon太阳能电池 [P].

刘洪东 ;

丁留伟 ;

邹杨 ;

汪宏迪 ;

苏晓峰 .

中国专利 :CN119789573A ,2025-04-08

[3]

太阳能电池氧化硅层的制备方法及太阳能电池 [P].

叶继春 ;

曾俞衡 ;

高平奇 ;

童慧 ;

蔡亮 ;

廖明墩 ;

王丹 .

中国专利 :CN106449884A ,2017-02-22

[4]

湿法叠加PECVD法制备隧穿氧化硅层的TOPCon太阳能电池制备方法 [P].

王丽婷 ;

周啸颖 ;

韩会丹 ;

杜敬良 ;

许伟 ;

许峰 ;

黄镇 ;

刘海涛 ;

胡俊涛 ;

王守志 ;

刘阳 .

中国专利 :CN120302754A ,2025-07-11

[5]

TOPCon太阳能电池的激光开槽结构、TOPCon太阳能电池的制备方法和TOPCon太阳能电池 [P].

钱明明 ;

唐义武 ;

黄丽娜 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN120692958A ,2025-09-23

[6]

N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备 [P].

杜哲仁 ;

崔义乾 ;

陈嘉 ;

黄健 ;

乔振聪 ;

刘荣林 .

中国专利 :CN214655235U ,2021-11-09

[7]

太阳能电池制备方法以及TOPCon太阳能电池 [P].

杨庆贺 ;

徐冠超 ;

陈姝 .

中国专利 :CN119497438A ,2025-02-21

[8]

TOPCon太阳能电池及其制备方法和应用 [P].

方超炎 ;

何悦 ;

陈德爽 ;

任勇 .

中国专利 :CN118039730A ,2024-05-14

[9]

TOPCon太阳能电池的制备方法以及TOPCon太阳能电池 [P].

刘丽华 ;

张双玉 ;

李蕊怡 ;

安萍 ;

请求不公布姓名 ;

杨阳 ;

杨灼坚 ;

胡传红 ;

陶龙忠 .

中国专利 :CN120082874A ,2025-06-03

[10]

一种TOPCon太阳能电池的制备方法及电池 [P].

崔美丽 .

中国专利 :CN116314453B ,2025-08-19

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