N-TOPCon太阳能电池中制备双面氧化硅的设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120616733.3

申请日：

2021-03-25

公开(公告)号：

CN214655235U

公开(公告)日：

2021-11-09

发明(设计)人：

杜哲仁崔义乾陈嘉黄健乔振聪刘荣林

申请人：

申请人地址：

225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路

IPC主分类号：

C23C1650

IPC分类号：

C23C1640 C23C1652 C23C1416 C23C1435 C23C1624 C23C1458 C23C1656 C23C2804 H01L3118

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司 11137

代理人：

徐李娜;邓俊勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

N-TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备 [P].

杜哲仁 ;

崔义乾 ;

黄健 ;

乔振聪 ;

陈嘉 ;

刘荣林 .

中国专利 :CN113193074A ,2021-07-30

[2]

一种N-TOPCon光伏太阳能电池 [P].

张金花 ;

费存勇 ;

赵福祥 .

中国专利 :CN217522020U ,2022-09-30

[3]

TOPCon太阳能电池的制备方法及TOPCon太阳能电池 [P].

刘洪东 ;

丁留伟 ;

邹杨 ;

汪宏迪 ;

苏晓峰 .

中国专利 :CN119789573A ,2025-04-08

[4]

电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池 [P].

袁晓佳 ;

赵福祥 ;

费存勇 .

中国专利 :CN216980577U ,2022-07-15

[5]

一种N-TOPCon太阳能电池制备方法及电池 [P].

戴燕华 ;

赵福祥 ;

金永旭 .

中国专利 :CN115513335A ,2022-12-23

[6]

TOPCon太阳能电池的制备方法以及TOPCon太阳能电池 [P].

刘丽华 ;

张双玉 ;

李蕊怡 ;

安萍 ;

请求不公布姓名 ;

杨阳 ;

杨灼坚 ;

胡传红 ;

陶龙忠 .

中国专利 :CN120082874A ,2025-06-03

[7]

一种TOPCon太阳能电池氧化硅层的制备方法和系统 [P].

上官泉元 ;

闫路 .

中国专利 :CN112271235A ,2021-01-26

[8]

TOPCon太阳能电池的激光开槽结构、TOPCon太阳能电池的制备方法和TOPCon太阳能电池 [P].

钱明明 ;

唐义武 ;

黄丽娜 ;

何秋霞 .

中国专利 :CN120692958A ,2025-09-23

[9]

电池背面结构及双面TOPCon太阳能电池 [P].

袁晓佳 ;

赵福祥 ;

费存勇 .

中国专利 :CN216563145U ,2022-05-17

[10]

TOPCon太阳能电池片及其制备方法、TOPCon太阳能电池 [P].

向坤 ;

沈志敏 ;

贾坤 ;

陈如龙 ;

郝斌 ;

薛煜雯 ;

杨阳 ;

陶龙忠 .

中国专利 :CN119521835A ,2025-02-25

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