非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010240587.5

申请日：

2010-07-30

公开(公告)号：

CN101915900A

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

韩喜萍

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市桥东区平安大街1号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

G01V310

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-15	公开	公开
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056902035 IPC(主分类):G01R 33/09 专利申请号:2010102405875 申请日:20100730
2013-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101556403063 IPC(主分类):G01R 33/09 专利申请号:2010102405875 申请公布日:20101215

共 50 条

[1]

非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN101930062A ,2010-12-29

[2]

非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN101915898A ,2010-12-15

[3]

非晶丝磁阻抗传感器 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN201876532U ,2011-06-22

[4]

非晶丝磁阻抗传感器 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN201876534U ,2011-06-22

[5]

非晶丝磁阻抗传感器 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN201876535U ,2011-06-22

[6]

基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器 [P].

胡松 ;

郑小帆 ;

潘丹丹 ;

金煌煌 ;

赵磊 ;

窦子晴 .

中国专利 :CN120831613A ,2025-10-24

[7]

非晶丝巨磁阻抗实验仪 [P].

汪建 .

中国专利 :CN102147989A ,2011-08-10

[8]

一种获取双区间大量程磁阻抗效应非晶微丝的方法 [P].

陈东明 ;

邢大伟 ;

刘景顺 ;

沈红先 .

中国专利 :CN107217220A ,2017-09-29

[9]

非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法 [P].

许洪光 ;

路小菲 ;

胡琴芳 .

中国专利 :CN107748813B ,2018-03-02

[10]

巨磁阻抗效应二维磁场传感器 [P].

周志敏 .

中国专利 :CN103033770A ,2013-04-10

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