基于非晶丝巨磁阻抗效应的磁场传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510984730.8

申请日：

2025-07-17

公开(公告)号：

CN120831613A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

胡松郑小帆潘丹丹金煌煌赵磊窦子晴

申请人：

黄山学院

申请人地址：

245021 安徽省黄山市屯溪区西海路39号

IPC主分类号：

G01R33/06

IPC分类号：

G01R33/00

代理机构：

北京中能晟和知识产权代理有限公司 34253

代理人：

毛其峰

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省黄山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 33/06申请日:20250717

共 50 条

[1]

巨磁阻抗效应二维磁场传感器 [P].

周志敏 .

中国专利 :CN103033770A ,2013-04-10

[2]

非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN101930062A ,2010-12-29

[3]

非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN101915900A ,2010-12-15

[4]

非晶丝磁阻抗传感器以及基于非晶丝磁阻抗效应的磁场探测方法 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN101915898A ,2010-12-15

[5]

桥式电阻巨磁阻抗效应磁场传感器 [P].

王晓美 ;

滕云田 ;

王晨 ;

范晓勇 ;

吴琼 ;

张炼 ;

张旸 .

中国专利 :CN203310984U ,2013-11-27

[6]

一种基于巨磁阻抗效应的磁场梯度传感器 [P].

王三胜 ;

郭强 .

中国专利 :CN104614689A ,2015-05-13

[7]

非晶丝磁阻抗传感器 [P].

韩喜萍 .

中国专利 :CN201876532U ,2011-06-22

[8]

巨磁阻抗磁场传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

李明 ;

任欢 ;

汤新岩 .

中国专利 :CN2906638Y ,2007-05-30

[9]

巨磁阻抗磁场传感器 [P].

张涛 ;

韩冰 ;

李明 ;

任欢 ;

汤新岩 .

中国专利 :CN100403050C ,2006-06-28

[10]

一种基于巨磁阻抗效应的磁传感器 [P].

王三胜 ;

杨慧 .

中国专利 :CN201917649U ,2011-08-03

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