学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

半导体装置、半导体装置的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910700405.9
申请日：
2019-07-31
公开(公告)号：
CN110913604A
公开(公告)日：
2020-03-24
发明(设计)人：
日向裕一朗 西泽龙男
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县
IPC主分类号：
H05K334
IPC分类号：
H01L2507
代理机构：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人：
刘新宇
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-07-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H05K 3/34 申请日:20190731
2020-03-24 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置、半导体装置的制造方法 [P]. 
日向裕一朗 ;
西泽龙男 .
日本专利 :CN110913604B ,2024-03-15
[2]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
前田笃志 ;
川濑达也 ;
井本裕儿 .
中国专利 :CN114556534A ,2022-05-27
[3]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
中田洋辅 ;
境纪和 ;
佐藤祐司 ;
横山吉典 .
日本专利 :CN117497522A ,2024-02-02
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
前田笃志 ;
川濑达也 ;
井本裕儿 .
日本专利 :CN114556534B ,2025-05-06
[5]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
平松星纪 ;
寺井护 .
中国专利 :CN103250242A ,2013-08-14
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
刘宇增 ;
荒谷修三 .
日本专利 :CN119790497A ,2025-04-08
[7]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
酒井康裕 .
日本专利 :CN119072775A ,2024-12-03
[8]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
矢野佑树 ;
松冈毅 .
日本专利 :CN118541795A ,2024-08-23
[9]
半导体装置及其制造方法 [P]. 
大津健嗣 ;
楠卓 ;
荒木健 ;
巽裕章 .
中国专利 :CN103703560B ,2014-04-02
[10]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小川翔平 ;
藤野纯司 ;
石川悟 ;
重本拓巳 ;
石山祐介 .
中国专利 :CN111433910A ,2020-07-17
12345