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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202480003804.9
申请日：
2024-02-16
公开(公告)号：
CN119790497A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
刘宇增
荒谷修三
申请人：
株式会社东芝
东芝电子元件及存储装置株式会社
申请人地址：
日本
IPC主分类号：
H01L23/50
IPC分类号：
H01L23/12
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
牛玉婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/50申请日:20240216 |
| 2025-04-08 | 公开 | 公开 |